[发明专利]曝光方法、光刻方法及通孔的制作方法有效
| 申请号： | 200710094403.7 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101452214A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 邓泽希 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种曝光方法，包括在基底上形成光阻层以及通过光罩对于基底上的光阻层进行曝光，其中，在所述曝光过程中调节曝光光源中的各个透镜头的相对角度和相对距离以及调节透镜组内环境气压，以使所获得的相应光阻层开口具有比光罩上的掩模图形更大的面积。本发明还公开了一种光刻方法和通孔制作方法，上述方法无需对于原有的通孔掩膜图形额外进行光学邻近修正，因而工艺操作简单，并且效率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 光刻 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种曝光方法，包括在基底上形成光阻层以及通过光罩对于基底上的光阻层进行曝光，其特征在于，在所述曝光过程中调节曝光光源中的各个透镜头的相对角度和相对距离以及调节透镜组内环境气压，以使所获得的相应光阻层开口具有比光罩上的掩模图形更大的面积。
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