[发明专利]验证非对称高压场效应管漂移区电阻的方法

摘要

本发明公开了一种验证非对称高压场效应管漂移区电阻的方法，通过对非对称高压场效应管的纵向结构改进，形成一寄生双极型晶体管，根据寄生三极管特性，采用高频精确测试基区电阻的方法，通过源端和漂移区两端加高频率信号，根据所测到的S11数据用双极型晶体管的模型公式来推算出漂移区的电阻值，从而验证直流测试和高压场效应管模型提取的电阻值是否正确。

主权项

1、一种验证非对称高压场效应管漂移区电阻的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将非对称高压场效应管中的源、漏端注入杂质替换成和漂移区同极性的注入杂质，形成一个寄生双极型晶体管，然后源端用金属线引出作为寄生双极型晶体管的发射极，漏端用金属线引出作为寄生双极型晶体管的集电极，漂移区用金属线引出作为寄生双极型晶体管的基极；(2)通过在寄生双极型晶体管的发射极和基极施加从低频到高频的扫描信号，来测试从低频到高频的从基极到发射极串连阻抗的变化；(3)根据从低频扫描到高频所测得的阻抗变化曲线，通过圆的解析公式来描绘阻抗曲线，根据公式外推频率达到无穷大以后的阻抗变化，再利用双极型模型公式推算出漂移区电阻值；(4)将在线测量取得的非对称高压场效应管漂移区电阻同上述方法取得的非对称高压场效应管漂移区电阻比对，验证在线测量取得的非对称高压场效应管漂移区电阻的合理性。