[发明专利]一种快速优化刻蚀均匀性的方法

摘要

本发明公开了一种快速优化刻蚀均匀性的方法，首先确定原始刻蚀条件下刻蚀图形的关键尺寸和形貌的优化方向，包括如下步骤：第1步，在所述原始刻蚀条件下刻蚀有薄膜的光片，用膜厚测量设备测量光片的边缘区域与中心区域的刻蚀速率差；第2步，改变所述原始刻蚀条件，刻蚀所述有薄膜的光片，用膜厚测量设备测量光片的边缘区域与中心区域的刻蚀速率差；第3步，比较第1步和第2步得到的两个刻蚀速率差，得到刻蚀图形的关键尺寸和形貌的变化方向；当变化方向与优化方向一致或相反，表示第2步的刻蚀条件有利或不利于刻蚀图形的刻蚀均匀性。本发明可以大大缩短研发时间，同时大幅节省晶片消耗。

主权项

1. 一种快速优化刻蚀均匀性的方法，所述方法确定原始刻蚀条件下刻蚀图形的关键尺寸和形貌的优化方向，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，在所述原始刻蚀条件下刻蚀有薄膜的光片，用膜厚测量设备测量所述有薄膜的光片的边缘区域与中心区域的刻蚀速率差；第2步，改变所述原始刻蚀条件，刻蚀所述有薄膜的光片，用膜厚测量设备测量所述有薄膜的光片的边缘区域与中心区域的刻蚀速率差；第3步，比较第1步和第2步得到的的两个刻蚀速率差，得到刻蚀图形的关键尺寸和形貌的变化方向；当刻蚀图形的关键尺寸和形貌的变化方向与优化方向一致，表示第2步的刻蚀条件有利于刻蚀图形的刻蚀均匀性；当刻蚀图形的关键尺寸和形貌的变化方向与优化方向相反，表示第2步的刻蚀条件不利于刻蚀图形的均匀性。