[发明专利]化学机械抛光研磨液的供料装置及研磨液处理方法无效

专利信息
申请号: 200710094423.4 申请日: 2007-12-11
公开(公告)号: CN101456149A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 方精训;邓镭;程晓华 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: B24B29/00 分类号: B24B29/00;B24B57/02;H01L21/304
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 顾继光
地址: 201206上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种化学机械抛光研磨液的供料装置,包括研磨液的供料管路,在所述供料管路上设置有超声波发生装置,所述超声波发生装置向所述供料管路中的研磨液发出超声波,将所述研磨液中的大研磨颗粒分解成小研磨颗粒。本发明还公开了一种研磨液处理方法,所述超声波发生装置向所述供料管路中对研磨液发出超声波,将所述研磨液中的大研磨颗粒分解成小研磨颗粒。本发明采用超声波发生装置发出超声波使大研磨颗粒分解成小的研磨颗粒,有效避免了大研磨颗粒对硅片的损伤,改善了化学机械抛光的效果,降低了化学机械抛光的工艺成本,提高了化学机械抛光的工艺稳定性。
搜索关键词: 化学 机械抛光 研磨 供料 装置 处理 方法
【主权项】:
1. 一种化学机械抛光研磨液的供料装置,包括研磨液的供料管路,其特征在于,在所述供料管路上设置有超声波发生装置,所述超声波发生装置向所述供料管路中的研磨液发出超声波,将所述研磨液中的大研磨颗粒分解成小研磨颗粒。
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