[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管结构无效
| 申请号： | 200710094428.7 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101459196A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管结构，其通过调整器件结构使沟道有源区长度大于源漏有源区的长度，并使场注入区域扩大至与浅沟槽相邻的沟道有源区边缘，使有源区边缘载流子浓度的增加补偿了由氧化层变薄而引起的开启电压降低，使得有源区中心和边缘的开启电压值保持一致，以提高有源区边缘的开启电压，并改善高压器件的亚阈值特性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
1、一种金属氧化物半导体场效应晶体管结构，包括过道有源区、源漏有源区和场注入区域，其特征在于：沟道有源区的宽度大于源漏有源区的宽度，而且场注入区域扩大至与浅沟槽相邻的沟道有源区边缘处。
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