[发明专利]晶体管浅结的制作方法无效
| 申请号： | 200710094431.9 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101459063A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;刘俊文 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管浅结的制作方法，通过进行两次离子注入，其中一次为N型离子注入，另一次为P型离子注入，并分别通过控制这两次离子注入的能量和剂量，得到所需要的结深，从而方便了对晶体管结深的控制，可以满足各种各样结深的要求，尤其是可实现超浅结。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管浅结的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在硅上需要形成浅结的位置进行第一次离子注入；在硅上需要形成浅结的位置进行第二次离子注入；并且，所述第一次离子注入和第二次离子注入中的一次为P型离子注入，另一次为N型离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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