[发明专利]晶体管源漏极形成方法及晶体管源漏极无效
| 申请号： | 200710094448.4 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459079A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;吕赵鸿 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/336;H01L21/28;H01L29/772;H01L29/78;H01L29/43;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管源漏极形成方法，在源漏选择性外延生长后、金属硅化物生成之前，生长一个辅助侧墙，把侧墙和硅间的交界面保护起来。这样，在金属硅化物生成过程中，很好地防止了用于形成金属硅化物的金属在侧墙与硅的界面处形成残留，降低了源漏与栅的桥链效应引起的漏电，改善了器件的性能。本发明还公开了一种晶体管源漏极，包括轻掺杂漏、侧墙、外延层、金属硅化物层，还包括辅助侧墙，辅助侧墙位于金属硅化物层外侧的外延层之上同侧墙相接。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 源漏极 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种晶体管源漏极形成方法，其特征在于，包括以下步骤：(1). 轻掺杂漏形成；(2). 侧墙形成；(3). 源漏选择性外延生长；(4). 离子注入形成源漏；(5). 辅助侧墙形成；(6). 形成金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
