[发明专利]光掩模版及其制作方法、图形化的方法无效
| 申请号： | 200710094458.8 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101458443A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;隋建国;刘永 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种光掩模版制作方法，包括：将布局对准标记图案写入光掩模版上，形成掩模版对准标记图案；将布局半导体器件图案写入所述光掩模版上，形成与所述掩模版对准标记图案相邻的掩模版半导体器件图案。本发明还提供一种光掩模版和图形化的方法。本发明将掩模版半导体器件图案和掩模版对准标记图案做在同一光掩模版上，在晶圆半导体器件区域将光掩模版上掩模版半导体器件图案与之对准并曝光，在晶圆对准标记区域将光掩模版上的掩模版对准标记图案与之对准并曝光。简化了光刻步骤，节省了工艺时间及光掩模版材料。 | ||
| 搜索关键词： | 模版 及其 制作方法 图形 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种光掩模版制作方法，其特征在于，包括：将布局对准标记图案写入光掩模版上，形成掩模版对准标记图案；将布局半导体器件图案写入所述光掩模版上，形成与所述掩模版对准标记图案相邻的掩模版半导体器件图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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