[发明专利]MOS晶体管的形成方法无效
| 申请号： | 200710094473.2 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459081A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 赵猛;王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有超浅结的MOS晶体管的形成方法，包括：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进离子注入，形成源/漏极延伸区，所述离子注入的方向与垂直半导体衬底表面方向之间有角度；在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。本发明以一次轻离子注入形成源/漏极延伸区，简化了重离子与轻离子的多次注入的工艺，达到降低源/漏极延伸区的局部强电场；减小了小尺寸MOS晶体管的短沟道效应，击穿效应以及由其引起的结漏电，提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种具有超浅结的MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成栅介质层与栅极，所述栅介质层与栅极构成栅极结构；以栅极结构为掩模，在栅极两侧的半导体衬底内进离子注入，形成源/漏极延伸区，所述离子注入的方向与垂直半导体衬底表面方向之间有角度；在栅极结构两侧形成侧墙后，在栅极结构及侧墙两侧的半导体衬底内形成源/漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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