[发明专利]三极晶体管及基准电压源形成方法

摘要

一种三极晶体管的形成方法，包括：根据公式(1)NA·JC＝exp(Vbe/Vt)·(q·Dn/WB)·D·T³·exp(-VGO/Vt)，获得发射极电压温度系数公式(2)为：δVbe/δT_(T＝T0)＝(Vbe0-VGO)/T0+(α-γ)·(k/q)；根据所需的三极晶体管的发射极电压温度系数选取基区掺杂浓度NA。本发明还提供一种基准电压源的形成方法。本发明通过调整三极晶体管的基区掺杂浓度，调整三极晶体管发射极电压的温度系数，从而调整基准电压源的输出电压，使基准电压源输出电压近似为零。

主权项

1. 一种三极晶体管的形成方法，其特征在于，包括：根据公式(1)NA·JC＝exp(Vbe/Vt)·(q·Dn/WB)·D·T3·exp(-VGO/Vt)，获得发射极电压温度系数公式(2)为：δVbe/δT(T＝T0)＝(Vbe0-VGO)/T0+(α-γ)·(k/q)；根据所需的三极晶体管的发射极电压温度系数选取基区掺杂浓度NA，其中，所述公式(1)或者公式(2)中NA为基区掺杂浓度；JC为发射区电流密度；Vbe发射极电压，Vbe0为在T＝T0下的发射极电压；q为电荷的电量；Dn为电荷扩散系数；WB为基区的宽度；D为温度常数；T为绝对温度；VG0为半导体衬底的能带带隙电压；Vt为KT/q，所述k为波尔兹曼常数；γ为与温度无关的常量；根据基区掺杂浓度NA对基区掺杂。