[发明专利]BiCMOS工艺中寄生垂直PNP及制备方法

摘要

本发明公开了一种BiCMOS工艺中寄生垂直PNP的制备方法，包括以下步骤：1.埋入层离子注入、N型外延生长、有源区形成；2.下沉连接层离子注入；3.CMOS的P阱隔离离子注入；4.CMOS的N阱注入；5.氧化退火处理形成一层薄氧化膜并生长基极多晶硅并注入硼作为P型的发射极；最后，刻蚀掉非垂直PNP区域的基极多晶硅。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中寄生垂直PNP，以P阱隔离离子注入为集电极；以CMOS的N阱反击穿离子注入为基极；以注入硼的基极多晶硅作为发射极。本发明通过调整N阱和P阱的离子注入条件而不用增加光罩和其他成本制备寄生的垂直型PNP三极管，提高放大系数以及截止频率等。

主权项

1. 一种BiCMOS工艺中寄生垂直PNP的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，在P型衬底上进行埋入层离子注入作为埋入层、N型外延生长以及形成有源区；第二步，下沉连接层离子注入，作为垂直PNP的基极引出区；第三步，进行CMOS的P阱隔离离子注入的同时也在垂直PNP区域打开进行注入，并由此形成垂直PNP集电极，该离子注入深度穿透场氧化层以及N型外延层；第四步，CMOS的N阱反击穿离子注入，作为垂直PNP基极；第五步，对晶圆进行氧化退火处理形成一层二氧化硅膜，再生长基极多晶硅，并在垂直PNP区域注入硼作为P型的发射极；最后，通过刻蚀将非垂直PNP区域的基极多晶硅去掉。