[发明专利]沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS器件结构实现方法，包括如下步骤：(1)沟槽的光刻和刻蚀；(2)生长热栅氧化层和高温氧化层；(3)在沟槽内淀积第一层多晶硅并回刻至沟槽表面；(4)形成多晶硅间氧化层；(5)光刻、干法刻蚀去除中间氧化层上端面以上的第一层多晶硅；(6)沟槽侧壁热氧化层、高温氧化层湿法剥离；(7)高密度等离子体氧化膜淀积，后对其进行化学机械研磨；(8)高密度等离子体氧化膜光刻，然后湿法腐蚀没有被光刻胶覆盖的高密度等离子体氧化膜；(9)薄栅氧化层生长、第二层多晶硅淀积、反刻。本方法实现的沟槽型双层栅功率MOS结构两层多晶硅侧壁之间不易漏电，且提高了功率MOS器件的击穿电压的均匀性。

主权项

1、一种沟槽型双层栅功率MOS结构实现方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(1)沟槽的光刻和刻蚀；(2)生长热栅氧化层和高温氧化层；(3)在沟槽内淀积第一层多晶硅并回刻至沟槽表面；(4)通过在回刻至沟槽表面的多晶硅上光刻、高能量、大束流氧离子注入、高温退火形成多晶硅间氧化层；(5)光刻、干法刻蚀去除中间氧化层上端面以上的第一层多晶硅；(6)沟槽侧壁热氧化层、高温氧化层湿法剥离；(7)高密度等离子体氧化膜淀积，后对其进行化学机械研磨；(8)高密度等离子体氧化膜光刻，然后湿法腐蚀没有被光刻胶覆盖的高密度等离子体氧化膜；(9)薄栅氧化层生长、第二层多晶硅淀积、第二层多晶硅反刻；(10)沟道体，源极形成；(11)接触孔、金属层和钝化层形成。