[发明专利]CMP工艺中清除晶圆表面污染物粒子的方法无效
| 申请号： | 200710094533.0 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459040A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 张斐尧;杜应提;周静 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMP工艺中清除晶圆表面污染物粒子的方法，包括：在化学机械抛光设备中通入抛光液，对晶圆进行化学机械抛光；停止通入抛光液；在化学机械抛光设备中通入与抛光液的酸碱性相同的弱酸性或者弱碱性有机物，清洗所述晶圆。所述方法能够有效去除现有技术化学机械抛光晶圆后晶圆表面无法清洗掉的大尺寸污染物粒子。 | ||
| 搜索关键词： | cmp 工艺 清除 表面 污染物 粒子 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种CMP工艺中清除晶圆表面污染物粒子的方法，包括：在化学机械抛光设备中通入抛光液，对晶圆进行化学机械抛光；停止通入抛光液；在化学机械抛光设备中通入与抛光液的酸碱性相同的弱酸性或者弱碱性有机物，清洗所述晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
