[发明专利]在CMOS上感测图像的系统和方法有效
申请号: | 200710094550.4 | 申请日: | 2007-12-13 |
公开(公告)号: | CN101459184A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 朱虹;杨建平 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/822;H04N9/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘继富;顾晋伟 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在CMOS上感测图像的系统和方法。根据一个实施方案,本发明提供CMOS图像感测像素。所述像素包括n-型衬底,和-P型外延层,形成的二极管np结的宽度和彩色光谱在像素单元中的吸收与收集特性相关。通过外围电路来控制三种不同的np结宽来达到分辨光波长的功能。此外,所述像素包括连接到所述CMOS图像感测像素的控制电路。 | ||
搜索关键词: | cmos 上感 图像 系统 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种CMOS图像感测像素,包含:n-型衬底,覆盖所述n-型衬底的p-型外延层,覆盖所述p-型外延层的n-型层,n-型层由离子注入到p外延层内形成,在n型层上还可形成有离子注入的覆盖n-型层的浅p型层;在所述p-型外延层和所述n-型层之间形成的pn结;连接到所述CMOS图像感测像素的控制电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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