[发明专利]晶体管保护环的制作方法、离子注入工艺优化方法及装置有效
| 申请号： | 200710094555.7 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459045A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 晶体管保护环的制作方法、离子注入工艺优化方法及装置，其中晶体管保护环的离子注入工艺优化方法，包括下列步骤：通过变化离子注入工艺条件中的注入角度值，确定优化的注入角度值；采用优化注入角度值，通过变化离子注入工艺条件中的注入剂量值与注入能量值，确定优化的注入剂量值；采用优化注入角度值和优化注入剂量值，通过变化离子注入工艺条件中的注入能量值，确定优化的注入能量值。优化方法考虑到了各个参数之间的相互关联性对离子注入工艺的影响，依次对离子注入的参数做全面且充分的优化，使保护环结构在降低MOSFET短沟道效应等负面效应的作用得以充分发挥，从而更好地满足器件的设计要求。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 保护环 制作方法 离子 注入 工艺 优化 方法 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种晶体管保护环的离子注入工艺优化方法，设定初始的离子注入工艺条件，包括有注入角度初始值、注入剂量初始值和注入能量初始值，其特征在于，包括下列步骤：通过变化离子注入工艺条件中的注入角度值，确定优化的注入角度值；采用优化注入角度值，通过变化离子注入工艺条件中的注入剂量值与注入能量值，确定优化的注入剂量值；采用优化注入角度值和优化注入剂量值，通过变化离子注入工艺条件中的注入能量值，确定优化的注入能量值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
