[发明专利]晶片背面平坦化的方法及提高光刻工艺线宽一致性的方法有效
| 申请号： | 200710094565.0 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101459096A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 杨光宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/308;H01L21/3065;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 晶片背面平坦化的方法，包括：提供半导体晶片；测量所述半导体晶片背面的平坦度；确定半导体晶片背面平坦度不满足要求区域，并计算若要该区域的平坦度满足要求需要去除的厚度；根据计算的结果，去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度的材料。本发明还提供一种提高光刻工艺线宽一致性的方法。本发明可对半导体晶片平坦度不满足要求的区域进行选择性平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 背面 平坦 方法 提高 光刻 工艺 一致性 | ||
【主权项】：
1、一种晶片背面平坦化的方法，其特征在于，包括：提供半导体晶片；测量所述半导体晶片背面的平坦度；确定半导体晶片背面平坦度不满足要求区域，并计算若要该区域的平坦度满足要求需要去除的厚度；根据计算的结果，去除半导体晶片背面平坦度不满足要求区域部分厚度的材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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