[发明专利]激光退火装置及激光退火方法有效
| 申请号： | 200710096161.5 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101034665A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 郭善仁;沈佩谊;陈士元;吴焕照 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L21/84;B23K26/00;B23K26/06;G02B27/09;G02B7/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种激光退火装置及激光退火方法，激光退火装置包括一激光源，该激光源提供的一激光束到达一光学组，光学组设置于激光源的前方，且位于激光束的行经路线上，光学组的末端设置有一放大元件，当使用前述激光退火装置进行激光退火工艺时，通过放大元件将激光束径向扩展后射出，可提高激光束间的重叠次数。这样在进行退火时可减少线性条纹的产生，并且提高退火效率。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光退火装置，包括：一激光源，用于提供一激光束；一光学组，设置于该激光源的前方，且位于该激光束的行经路线上；以及一放大元件，设置于该光学组的前方，并接收自该光学组穿射出的该激光束，且将该激光束径向扩展后射出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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