[发明专利]掩模图案生成方法

摘要

本发明公开了一种生成在莱文森相转移掩模中形成的掩模图案的掩模图案生成方法，当导电层通过光刻构图时，所述莱文森相转移掩模用于曝光在将被构图为所述导电层的制备膜上形成的光刻胶膜的曝光工艺，所述导电层包括在晶片上于第一方向上延伸的有源区上形成从而在正交于所述第一方向的第二方向上延伸的栅极，所述掩模生成方法包括：移相器设置步骤；移相器图案图像获得步骤；修整图案图像获得步骤；和移相器延伸步骤。

主权项

1.一种用于生成在莱文森相转移掩模中形成的掩模图案的掩模图案生成方法，当导电层通过光刻构图时，所述莱文森相转移掩模用于曝光在将被构图为所述导电层的制备膜上形成的光刻胶膜的曝光工艺，所述导电层包括在晶片上于第一方向上延伸的有源区上形成从而在正交于所述第一方向的第二方向上延伸的栅极，所述掩模生成方法包括下列步骤：在所述第一方向上以一定间隔设置多个移相器，使得所述栅极插入在所述移相器之间，所述移相器通过被照射产生作为所述掩模图案的移相器图案图像；当照射其中在所述移相器设置步骤中设置的移相器的莱文森相转移掩模时，获得转移到所述光刻胶膜的移相器图案图像；当照射其中设置了修整图案从而对应于所述导电层的修整掩模时，获得转移到所述光刻胶膜的修整图案图像；并且在所述第二方向上从离开所述栅极的侧边的方向延伸在所述移相器设置步骤中设置的移相器；其中所述移相器延伸步骤将在所述移相器设置步骤中设置的移相器在所述第二方向上从离开所述栅极的侧边的方向上延伸到一位置，使得在所述移相器图案图像生成步骤中获得的移相器图案图像和在所述修整图案图像获得步骤中获得的修整图案图像不相互重叠。