[发明专利]半导体光电器件有效
| 申请号： | 200710096171.9 | 申请日： | 2007-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101165979A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 孙重坤;柳汉烈;司空坦;白好善;李成男 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体光电器件，包括：有源层，包括量子阱和势垒层；上和下波导层，分别形成在所述有源层之上和之下；上和下包层，分别形成在所述上和下波导层之上和之下；衬底，支承所得堆叠结构；上光学约束层OCL，设置在所述有源层与所述上和下波导层之间且具有小于所述上波导层的能隙且等于或大于所述势垒层的能隙的能隙；以及下OCL，具有小于所述下波导层的能隙且等于或小于所述势垒层的能隙的能隙。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光电器件，包括：有源层，包括量子阱和势垒层；上和下波导层，分别形成在所述有源层之上和之下；上和下包层，分别形成在所述上和下波导层之上和之下；衬底，支承所得堆叠结构；上光学约束层OCL，设置在所述有源层与所述上和下波导层之间且具有比所述上波导层的能隙小且等于或大于所述势垒层的能隙的能隙；以及下OCL，具有比所述下波导层的能隙小且等于或小于所述势垒层的能隙的能隙。
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