[发明专利]可供堆叠的半导体装置及其制法无效

专利信息
申请号: 200710096355.5 申请日: 2007-04-13
公开(公告)号: CN101286459A 公开(公告)日: 2008-10-15
发明(设计)人: 黄建屏;张锦煌;黄致明;柯俊吉 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L23/482;H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开一种可供堆叠的半导体装置及制法,是提供一具有多个芯片的晶片,所述芯片及晶片具有相对的主动面及非主动面,各该芯片主动面上设有多个焊垫,以于相邻芯片焊垫间形成沟槽及于该沟槽处形成电性连接至芯片焊垫的第一金属层,接着薄化该晶片非主动面至该沟槽处而外露该第一金属层,并于该晶片非主动面形成电性连接至该第一金属层的第二金属层,之后分离各该芯片,以形成多个可供堆叠的半导体装置,后续可利用形成于半导体装置主动面及非主动面上的第一及第二金属层进行相互堆叠及电性连接,以构成多芯片的堆叠结构,从而可在不增加堆叠面积情况下整合更多芯片,并避免使用焊线所导致电性不佳及使用硅贯通电极所导致制造复杂及高成本问题。
搜索关键词: 堆叠 半导体 装置 及其 制法
【主权项】:
1. 一种可供堆叠的半导体装置的制法,包括:提供一具有多个芯片的晶片,所述芯片及晶片具有相对的主动面及非主动面,且于各该芯片主动面上设有多个焊垫,以于相邻芯片焊垫间形成沟槽;于该沟槽处形成第一金属层,并令该第一金属层电性连接至芯片焊垫;薄化该晶片非主动面至该沟槽处,以使该第一金属层相对外露于该晶片非主动面;于该晶片非主动面上设置一绝缘层,并令该绝缘层形成有开口以外露出该第一金属层;于该绝缘层开口处形成第二金属层,并使该第二金属层电性连接至该第一金属层;以及分离各该芯片,以形成多个可供堆叠的半导体装置。
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