[发明专利]像素结构及其的形成方法有效
申请号: | 200710096386.0 | 申请日: | 2007-04-16 |
公开(公告)号: | CN101038915A | 公开(公告)日: | 2007-09-19 |
发明(设计)人: | 丁友信 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种像素结构及其的形成方法,该像素结构包含至少一晶体管、一第一储存电容、一第一导电层、一内层介电层、一第二导电层、一保护层及一第三导电层。第一储存电容电性连接于晶体管。内层介电层覆盖于第一导电层上,且其具有至少一第一开口。第二导电层形成于部分内层介电层上,且经由第一开口电性连接于第一导电层。保护层覆盖于晶体管及第二导电层上,且其具有至少一第二开口。第三导电层形成部分保护层上,且经由第二开口电性连接于晶体管。第一储存电容由第三导电层、保护层及第二导电层所构成。本发明可在不变更电容值的情况下增加开口率。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构包含:至少一晶体管;一第一储存电容,电性连接于所述晶体管;一第一导电层;一内层介电层,覆盖于所述第一导电层上,且其具有至少一第一开口;一第二导电层,形成于部份所述内层介电层上,且经由所述第一开口电性连接于所述第一导电层;一保护层,覆盖于所述晶体管及所述第二导电层上,且其具有至少一第二开口;以及一第三导电层,形成部份所述保护层上,且经由所述第二开口电性连接于所述晶体管,其中,所述第一储存电容,由所述第三导电层、所述保护层及所述第二导电层所构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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