[发明专利]像素结构及其的形成方法有效

专利信息
申请号: 200710096386.0 申请日: 2007-04-16
公开(公告)号: CN101038915A 公开(公告)日: 2007-09-19
发明(设计)人: 丁友信 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种像素结构及其的形成方法,该像素结构包含至少一晶体管、一第一储存电容、一第一导电层、一内层介电层、一第二导电层、一保护层及一第三导电层。第一储存电容电性连接于晶体管。内层介电层覆盖于第一导电层上,且其具有至少一第一开口。第二导电层形成于部分内层介电层上,且经由第一开口电性连接于第一导电层。保护层覆盖于晶体管及第二导电层上,且其具有至少一第二开口。第三导电层形成部分保护层上,且经由第二开口电性连接于晶体管。第一储存电容由第三导电层、保护层及第二导电层所构成。本发明可在不变更电容值的情况下增加开口率。
搜索关键词: 像素 结构 及其 形成 方法
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,所述像素结构包含:至少一晶体管;一第一储存电容,电性连接于所述晶体管;一第一导电层;一内层介电层,覆盖于所述第一导电层上,且其具有至少一第一开口;一第二导电层,形成于部份所述内层介电层上,且经由所述第一开口电性连接于所述第一导电层;一保护层,覆盖于所述晶体管及所述第二导电层上,且其具有至少一第二开口;以及一第三导电层,形成部份所述保护层上,且经由所述第二开口电性连接于所述晶体管,其中,所述第一储存电容,由所述第三导电层、所述保护层及所述第二导电层所构成。
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