[发明专利]复合式金属氧化物半导体电容以及锁相环有效
| 申请号： | 200710096505.2 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101056105A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 林小琪 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/085 | 分类号： | H03L7/085;H03L7/093 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;李晓舒 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种复合式MOS电容以及使用该种复合式MOS电容的锁相环。在该锁相环中，回路滤波器所使用的复合式MOS电容属于高电压组件，压控振荡器属于低电压组件。该种复合式MOS电容中包括一HV PMOS电容以及一HV NMOS电容。该HV PMOS电容的基极耦接一低电压源的电源端。该HV NMOS电容的基极耦接该低电压源的地端。该HV PMOS电容的栅极与该HV NMOS电容的栅极连接在一起，以接收一控制电压。该复合式MOS电容的电容值为定值并且不随该控制电压改变。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 金属 氧化物 半导体 电容 以及 锁相环 | ||
【主权项】：
1.一种复合式金属氧化物半导体电容，其中包括：一P型金属氧化物半导体电容，该P型金属氧化物半导体电容的基极耦接一低电压偏压源的电源端；以及一N型金属氧化物半导体电容，该N型金属氧化物半导体电容的基极耦接该低电压偏压源的地端；其中，该P型金属氧化物半导体电容的栅极与该N型金属氧化物半导体电容的栅极连接在一起，用以接收一控制电压，该复合式金属氧化物半导体电容的电容值为定值并且不随该控制电压改变。
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