[发明专利]半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710096512.2 | 申请日： | 2007-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101286477A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 陈荣庆;游纯青 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/822;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件的制造方法，先提供基底，基底包括了高压元件区与低压元件区，且高压元件区具有源极/漏极预定区、接点预定区与沟道预定区。于基底上形成一层第一介电层。然后，移除低压元件区的第一介电层，同时，一并移除高压元件区的源极/漏极预定区、接点预定区的第一介电层。接着，于低压元件区上形成一层第二介电层，其中第二介电层的厚度小于第一介电层的厚度。继而，于沟道预定区与低压元件区上分别形成栅极，而后，于源极/漏极预定区的基底中形成源极/漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体元件的制造方法，包括：提供基底，该基底包括高压元件区与低压元件区，且该高压元件区包括源极/漏极预定区、接点预定区与沟道预定区；于该基底上形成第一介电层；移除该低压元件区的该第一介电层，同时，一并移除该源极/漏极预定区、该接点预定区的该第一介电层；至少于该低压元件区上形成第二介电层，其中该第二介电层的厚度小于该第一介电层的厚度；于该沟道预定区与该低压元件区上分别形成栅极；以及于该源极/漏极预定区的该基底中形成源极/漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
