[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 200710096556.5 | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101290957A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 林鼎洋;欧震;赖世国 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光元件，其包含基板、n型氮化物半导体层、p型氮化物半导体层、位于上述n型氮化物半导体层与上述p型氮化物半导体层之间的发光层。其中，上述发光层为掺杂有n型杂质的多重量子阱结构层，且上述n型杂质掺杂于靠近上述n型半导体层与靠近上述p型半导体层两侧的区域，而上述多重量子阱结构层的中间区域则无n型杂质或具有比上述两侧区域的浓度较低的n型杂质。透过上述多重量子阱结构层的n型杂质掺杂的特定分布设计，能够有效提升发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，包含：n型半导体层；p型半导体层；以及发光层，位于该n型半导体层与该p型半导体层之间，具有靠近该n型半导体层的第一区域、靠近该p型半导体层的第二区域、及位于该第一区域及该第二区域之间的中间区域，其中该第一区域及该第二区域掺杂有n型杂质，而该中间区域则无该n型杂质，或具有浓度较该第一区域及该第二区域的浓度为低的该n型杂质。
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