[发明专利]半导体存储器件的自刷新操作无效
| 申请号： | 200710096574.3 | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101055760A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 安进弘;郑奉华;金生焕;秋新镐 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于驱动半导体存储器件的方法，包括：初始化与在单元阵列中包括的每个对应行的刷新时间相对应的第一数据；在进入自刷新模式之后，存储与在第一行中包括的列数据相对应的第二数据；通过检测第一行的刷新时间而设置与第一行相对应的第一数据，同时，在预定刷新循环中，根据基于对应的第一数据而选择的刷新周期，而对单元阵列中的其它行执行刷新操作，其中，在预定刷新循环期间，不对第一行执行刷新操作；向第一行恢复第二数据；以及对于其它行而重复以上步骤，由此设置对应的第一数据，直至对所有行完成了设置步骤、或自刷新模式期满。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 刷新 操作 | ||
【主权项】：
1、一种半导体存储器件，包括：多个第一存储部件，每个第一存储部件被配置为存储在具有多个行和列的单元阵列中包括的对应行的刷新时间；多个第二存储部件，每个第二存储部件被配置为在检测到对应行的刷新时间时，存储对应行的列数据；振荡器，其被配置为生成自刷新模式中的最小刷新周期信号；计数器，其被配置为生成自刷新模式中的顺序的内部刷新地址；以及刷新周期控制器，其被配置为生成设置刷新周期信号，其中，基于在第一存储部件中存储的值、以及设置刷新周期信号而确定是否对对应行执行刷新操作。
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