[发明专利]半导体存储器

摘要

提供实现高速、小面积且低功耗的安装了强电介质的半导体存储器。具备：多个存储单元；各自共同地连接到在同一行中排列的多个存储单元上的多条位线(BL)；各自共同地连接到在同一列中排列的多个存储单元上的多条字线(WL)和极板线(CP)；在列方向上排列的多条极板电位供给线(CPS)；以及分别将该多条极板电位供给线与对应的多条极板线电连接的单元。用其电阻比极板线电阻低的材料构成极板电位供给线，用氢阻挡膜(HB)包围多个存储单元的电容器的各自的周围，在氢阻挡膜(HB)的下方配置多条极板电位供给线，在平面上看配置了氢阻挡膜的区域内并在同一极板线的多个部位上将多条极板电位供给线(CPS)与同一极板线电连接。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于：具备：在衬底上形成的、各自具有电容器的排列成行列状的多个存储单元；各自共同地连接到在同一行中排列的上述多个存储单元上的多条位线；各自共同地连接到在同一列中排列的上述多个存储单元上的多条字线和极板线；在列方向上排列的多条极板电位供给线；以及分别将该多条极板电位供给线的每一条与对应的上述多条极板线的每一条电连接的单元，用比上述极板线的电阻低的材料构成上述极板电位供给线，用氢阻挡膜覆盖上述多个电容器的每一个的周围，在上述氢阻挡膜的下方配置上述多条极板电位供给线，在平面上看配置了上述氢阻挡膜的区域内并在同一上述极板线的多个部位上将上述多条极板电位供给线与上述同一极板线进行了电连接。