[发明专利]图案形成方法无效
申请号: | 200710096680.1 | 申请日: | 2003-04-30 |
公开(公告)号: | CN101075085A | 公开(公告)日: | 2007-11-21 |
发明(设计)人: | 三坂章夫 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种图案形成方法。其目的在于实现同时精细化独立空隙图案和独立线图案或者是独立空隙图案和密集图案。在透光性基板上设置了对曝光光线具有遮光性的半遮光部分,由上述半遮光部分包围起来且对上述曝光光线具有透光性的开口部分(透光部分),和位于开口部分周边的移相器(周边部分)。开口部分形成区域的透光性基板表面呈暴露状态。在移相器形成区域的透光性基板上形成下层相位调整膜。半遮光部分形成区域的透光性基板上沉积了下层相位调整膜及上层相位调整膜。下层相位调整膜及上层相位调整膜各自让曝光光线以开口部分为基准反相位状态透过。 | ||
搜索关键词: | 图案 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种使用光罩的图案形成方法,其特征为:包括:在基板上形成光阻膜的工序(a);透过上述光罩将上述曝光光线照射到上述光阻膜上的工序(b);对由上述曝光光线照射的上述光阻膜进行显像处理而将上述光阻膜图案化的工序(c),所述光阻膜,在透光性基板上包括,包括:对曝光光线具有遮光性的半遮光部分、由上述半遮光部分包围起来且对上述曝光光线具有透光性的透光部分、由上述半遮光部分包围起来且位于上述透光部分周围的周边部分,上述半遮光部分及上述透光部分让上述曝光光线在同相位状态下透过;上述周边部分,让上述曝光光线在以上述半遮光部分及上述透光部分为基准的反相位状态下透过,且,上述周边部分被配置为与上述透光部分相离所定的间隔的状态;上述透光部分形成区域的上述透光性基板表面呈暴露状态;在上述周边形成区域的上述透光性基板上,形成让上述曝光光线以上述透光部分为基准的具有在反相位状态透过的第一移相膜;在上述半遮光部分形成区域的上述透光性基板上,顺次沉积了上述第一移相膜,和以上述透光部分为基准的具有让上述曝光光线在反相位状态下透过的第二移相膜;上述第一移相膜和上述第二移相膜的沉积层构造为具有让上述曝光光线的一部分透过的透光率且让上述曝光光线以上述透光部分为基准同相位状态透过。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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