[发明专利]液晶显示设备、半导体器件和电子设备无效
| 申请号： | 200710096732.5 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101051134A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G02F1/133 | 分类号： | G02F1/133;G02F1/1362;H01L29/40;H01L27/12;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 液晶显示设备，包括在基础绝缘薄膜101上形成并且源极102d、通道形成区102a和漏极102b在其中形成的岛形第一半导体薄膜102；由与作为源极102d或漏极102b的第一半导体薄膜102相同的材料形成并且在基础绝缘薄膜101上形成的第一电极102c；在第一电极102c上形成并且包括第一开口图案112的第二电极108；以及提供在第二电极108上的液晶110。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 设备 半导体器件 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示设备，包括：在衬底上形成的第一电极；在第一电极上形成的绝缘薄膜；在绝缘薄膜上形成的第二电极；以及提供在第二电极上的液晶，其中第二电极包括开口；以及其中第一电极包括包含硅的半导体薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710096732.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
