[发明专利]低热阻发光二极管的封装方法及其结构无效
申请号: | 200710096974.4 | 申请日: | 2007-04-23 |
公开(公告)号: | CN101295648A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 王派酋 | 申请(专利权)人: | 奥古斯丁科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/36;H01L23/488;H01L23/28 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;方挺 |
地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种具有低热阻的发光二极管的封装方法及其结构,首先备有铜金属材质基板,在基板表面上形成一层绝缘层,该绝缘层上形成一组线路,在该组线路上形成电连接层,并将该组发光芯片通过锡固定在该组线路组上;接着,在该组发光芯片与该组线路之间电连接金线组,使该组发光芯片形成串联连接;最后,将一个环形物体配置在该基板表面上,并将该组发光芯片、线路以及金线包围在其内,用荧光胶点在该组发光芯片、金线及线路上,从而形成荧光层,再用环氧树脂填入环形物体内,并包覆该荧光层表面形成环氧树脂层,即完成该发光二极管的封装结构。 | ||
搜索关键词: | 低热 发光二极管 封装 方法 及其 结构 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管的封装方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(a)备有铜金属基板;(b)在所述铜金属基板表面上形成绝缘层;(c)在所述绝缘层上形成线路;(d)在所述线路表面上形成以金为材料的电连接层;(e)将发光芯片通过锡层固定在所述线路上;(f)在所述发光芯片与所述线路之间电连接多个金线;(g)在基板表面上形成中空环形物体,所述环形物体将所述发光芯片、金线及线路包围在其内;(h)在所述发光芯片、金线、线路上点上荧光胶,从而形成荧光层;以及,(i)在所述环形物体内部填入环氧树脂,并包覆所述荧光层,从而形成环氧树脂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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