[发明专利]半导体器件和形成该半导体器件的方法

摘要

半导体器件和形成该半导体器件的方法。形成于字线和位线之间的半导体器件，包括：生长层、形成于生长层上的反铁磁体层、形成于反铁磁体层上的被钉扎层、形成于被钉扎层上的隧道阻挡层、形成于隧道阻挡层上的自由层。字线和位线基本上彼此垂直排列。依次地，生长层包括钽并且其厚度大于大约75。另外，被钉扎层包括一层或多层被钉扎铁磁体亚层。隧道阻挡层包括氧化镁。最后，自由层包括两层或多层自由铁磁体亚层，每个自由铁磁体亚层具有与字线和位线成大约45度的磁各向异性轴。半导体器件可以包括，例如，用于磁阻随机存取存储器(MRAM)电路的磁隧道结。

主权项

1.半导体器件，在字线和位线之间形成，字线和位线基本上彼此垂直排列，该半导体器件包括：生长层，生长层包括钽且厚度大于约75；反铁磁体层，反铁磁体层形成于生长层上；被钉扎层，被钉扎层形成于反铁磁体层上并包括一层或多层被钉扎铁磁体亚层；隧道阻挡层，隧道阻挡层形成于被钉扎层上并包括氧化镁；以及自由层，自由层形成于隧道阻挡层上并包括两层或多层自由铁磁体亚层，每个自由铁磁体亚层具有与字线和位线成大约45度角取向的磁各向异性轴。