[发明专利]存储元件和存储器无效
申请号: | 200710097364.6 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101071628A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 山元哲也;大森广之;细见政功;肥后丰;山根一阳;大石雄纪;鹿野博司 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G11C11/16 | 分类号: | G11C11/16 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种存储元件,该存储元件包括基于磁性材料的磁化状态而保持信息的存储层。在该存储元件中,通过中间层为所述存储层设置磁化固定层;中间层由绝缘体形成;自旋极化电子沿堆叠方向被注入,以改变存储层的磁化方向,从而将信息记录在存储层中;以及形成存储层的铁磁性层具有1×10-5或更大的磁致伸缩常数。 | ||
搜索关键词: | 存储 元件 存储器 | ||
【主权项】:
1.一种存储元件,包括:存储层,其基于磁性材料的磁化状态来保持信息,其中,经由中间层为所述存储层设置磁化固定层;所述中间层由绝缘体形成;自旋极化电子沿堆叠方向被注入,以改变所述存储层的磁化方向,从而将信息记录在所述存储层中;以及形成所述存储层的铁磁性层具有1×10-5或更大的磁致伸缩常数。
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