[发明专利]电压限制装置及应用其的运算放大器及其电路设计方法有效
| 申请号： | 200710097486.5 | 申请日： | 2007-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN101304240A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 左克扬;林克旯;梁彦雄;赵晋杰 | 申请（专利权）人： | 瑞鼎科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45;H03F1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电压限制装置，应用于运算放大器中，其包括第一晶体管，栅极(Gate)与源极(Source)的跨压接近特定电压且漏极(Drain)与源极的跨压不等于零，而导致较大的基板(Substrate)电流。电压限制装置包括第二晶体管，源极与第一晶体管的漏极耦接，栅极接收偏压信号使第二晶体管操作于饱和区(Saturation Region)，并使第二晶体管的源极电压等于偏压信号与第二晶体管临界电压(Threshold Voltage)之差。如此，通过降低第一晶体管的漏极与源极的跨压，降低基板电流。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 限制 装置 应用 运算放大器 及其 电路设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电压限制装置，应用于运算放大器中，所述运算放大器包括第一晶体管，栅极与源极的跨压接近一特定电压且漏极与源极的跨压不等于零，导致一基板电流，所述电压限制装置包括：第二晶体管，源极与所述第一晶体管的漏极耦接，栅极接收一偏压信号使所述第二晶体管操作于饱和区，并使所述第二晶体管的源极电压等于所述偏压信号与所述第二晶体管临界电压的差，由此来降低所述第一晶体管的漏极与源极的跨压，以降低所述基板电流。
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