[发明专利]发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710098127.1 | 申请日： | 2007-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101055913A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 金庚夋 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;刘继富 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供发光器件及其制造方法。发光器件包括提供在衬底和包括高熔点金属的半导体层之间的缓冲层。在发光器件的构造方法中，形成包括高熔点金属的缓冲层，并在缓冲层上形成半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光器件，包含：包括高熔点金属的缓冲层；在所述缓冲层上的第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；和在所述有源层上的第二导电半导体层。
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