[发明专利]基于SOI硅片的非制冷红外传感器及其阵列和制造方法无效
| 申请号： | 200710098513.0 | 申请日： | 2007-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101078652A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 王喆垚;张琪;潘立阳;刘理天 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;H01L27/146;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李光松 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种属于集成电路制造技术和微加工技术相结合制造的非制冷红外传感器及其阵列。所述传感器采用SOI硅片制造，红外敏感器件为单晶硅制造的二极管或MOSFET，红外敏感器件位于SOI硅片的器件层单晶硅上，其所在的单晶硅层和SOI二氧化硅绝缘层下面的硅衬底使用微加工技术刻蚀去除，由支承臂与其他部分连接，使红外敏感器件悬空。本发明采用二极管或MOSFET作为红外敏感器件测量红外信号，具有较高的测量灵敏度和较低的1/f噪声，使用SOI硅片并利用刻蚀技术使红外敏感器件悬空，可以降低测量过程的散热，这种结构制造工艺简单、成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 soi 硅片 制冷 红外传感器 及其 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于SOI硅片的非制冷红外传感器及其阵列，其特征在于，所述非制冷红外传感器采用单晶硅二极管或者MOSFET作为红外敏感器件；所述非制冷红外传感器结构是红外敏感器件(4)所在的悬空结构通过支承臂(2)与衬底(1)相连，红外敏感器件(4)与处理电路(6)通过互连线(3)连接，红外接收和反射层(7)覆盖在红外敏感器件(4)上面，在红外敏感器件(4)和衬底(1)之间为SOI的埋层二氧化硅层(8)，埋层二氧化硅层(8)和衬底(1)之间形成有空腔(5)。
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