[发明专利]一种集成化晶硅太阳电池及其制造方法无效
| 申请号： | 200710098560.5 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101047196A | 公开（公告）日： | 2007-10-03 |
| 发明（设计）人： | 孙红光;李艳秋;尚永红;于红云;苏波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关玲;李新华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种集成化晶硅太阳电池及其制造方法，其特征在于，太阳电池为背接触太阳电池结构，其电极均处于电池背面，太阳电池栅线电极与集成电路处于同一侧。太阳电池的部分结构能够与集成电路一起基于标准集成电路制造工艺来完成，并在此流片的基础上，本发明结合光刻、腐蚀、金属淀积和氮化硅(SiNx)沉积等方法，设计并采用一套完整的后续加工技术流程，最终获得晶硅太阳电池集成组件。本发明太阳电池能够直接实现高电压输出，能量转换效率高，并且与集成电路制造工艺完全兼容，能够实现太阳电池与集成电路的单芯片集成。该方法简单、成品率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成化 太阳电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成化晶硅太阳电池，其特征在于：太阳电池为背接触太阳电池结构，其电极均处于电池背面，光照面无栅线电极；太阳电池栅线电极与集成电路处于同一侧；各太阳电池单体之间通过深沟绝缘隔离形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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