[发明专利]利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 200710099544.8 | 申请日： | 2007-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101312212A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 胡媛;刘明;龙世兵;杨清华;管伟华;李志刚;刘琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子技术领域，公开了一种利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器，包括：硅衬底1、硅衬底上重掺杂的源导电区6和漏导电区7、源漏导电区之间载流子沟道上覆盖的高k材料隧穿介质层2、隧穿介质层上覆盖的纳米晶浮栅层3、纳米晶浮栅层上覆盖的高k材料或SiO2材料控制栅介质层4以及控制栅介质层上覆盖的栅材料层5。同时公开了一种利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器的制作方法。利用本发明，提高了浮栅非易失存储器的编程/擦除速度、数据保持特性、编程/擦除耐受性等存储性能，降低了编程/擦除电压、操作时间和操作功耗，较好折衷了编程/擦除效率和数据保持的矛盾，提高了集成度，制作工艺简单，降低了制作成本。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 介质 纳米 晶浮栅 非易失 存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用高k介质和纳米晶浮栅的非易失存储器，其特征在于，该存储器包括：硅衬底(1)、位于硅衬底(1)上两侧重掺杂的源导电区(6)和漏导电区(7)、源导电区(6)与漏导电区(7)之间的载流子沟道上覆盖的隧穿介质层(2)、覆盖在隧穿介质层(2)上的纳米晶浮栅层(3)、覆盖在纳米晶浮栅层(3)上的控制栅介质层(4)，以及覆盖在控制栅介质层(4)上的栅材料层(5)。
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