[发明专利]一种自旋晶体管有效

专利信息
申请号: 200710099739.2 申请日: 2007-05-29
公开(公告)号: CN101315948A 公开(公告)日: 2008-12-03
发明(设计)人: 刘东屏;温振超;瑞哈娜;莎麦拉;韩秀峰 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 梁挥;祁建国
地址: 100080北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体管是多层膜结构的,它包括发射极层、基极层和集电极层,还包括形成在所述发射极层和基极层之间的第一铁电体层,形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层,所述发射极层、基极层和集电极层采用金属性或半金属性材料。本发明克服了已有的自旋晶体管器件不易于操控、放大倍率低的不足,而且本发明是一种稳定工作于室温环境、具有抗辐射性的完全基于PN结工作原理的自旋晶体管。
搜索关键词: 一种 自旋 晶体管
【主权项】:
1、一种自旋晶体管,包括发射极层、基极层和集电极层;其特征是,还包括:形成在所述发射极层和所述基极层之间的第一铁电体层,用于调节所述发射极层和所述基极层之间的空间电荷区的大小,形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层,用于调节所述基极层和所述集电极层之间的空间电荷区的大小,所述发射极层、所述基极层和所述集电极层采用金属性或半金属性材料。
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