[发明专利]一种自旋晶体管

摘要

本发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体管是多层膜结构的，它包括发射极层、基极层和集电极层，还包括形成在所述发射极层和基极层之间的第一铁电体层，形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层，所述发射极层、基极层和集电极层采用金属性或半金属性材料。本发明克服了已有的自旋晶体管器件不易于操控、放大倍率低的不足，而且本发明是一种稳定工作于室温环境、具有抗辐射性的完全基于PN结工作原理的自旋晶体管。

主权项

1、一种自旋晶体管，包括发射极层、基极层和集电极层；其特征是，还包括：形成在所述发射极层和所述基极层之间的第一铁电体层，用于调节所述发射极层和所述基极层之间的空间电荷区的大小，形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层，用于调节所述基极层和所述集电极层之间的空间电荷区的大小，所述发射极层、所述基极层和所述集电极层采用金属性或半金属性材料。