[发明专利]一种自旋晶体管有效
申请号: | 200710099739.2 | 申请日: | 2007-05-29 |
公开(公告)号: | CN101315948A | 公开(公告)日: | 2008-12-03 |
发明(设计)人: | 刘东屏;温振超;瑞哈娜;莎麦拉;韩秀峰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L29/66 | 分类号: | H01L29/66 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 100080北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种全金属性PNP、NPN型自旋晶体管器件。该自旋晶体管是多层膜结构的,它包括发射极层、基极层和集电极层,还包括形成在所述发射极层和基极层之间的第一铁电体层,形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层,所述发射极层、基极层和集电极层采用金属性或半金属性材料。本发明克服了已有的自旋晶体管器件不易于操控、放大倍率低的不足,而且本发明是一种稳定工作于室温环境、具有抗辐射性的完全基于PN结工作原理的自旋晶体管。 | ||
搜索关键词: | 一种 自旋 晶体管 | ||
【主权项】:
1、一种自旋晶体管,包括发射极层、基极层和集电极层;其特征是,还包括:形成在所述发射极层和所述基极层之间的第一铁电体层,用于调节所述发射极层和所述基极层之间的空间电荷区的大小,形成在所述基极层和所述集电极层之间的第二铁电体层,用于调节所述基极层和所述集电极层之间的空间电荷区的大小,所述发射极层、所述基极层和所述集电极层采用金属性或半金属性材料。
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