[发明专利]像素沟道区的掩模版及用该掩模版形成的薄膜晶体管无效
| 申请号： | 200710099780.X | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101315517A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 彭志龙 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/00;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种像素沟道区掩模版，包括：沟道区半曝光掩模结构，漏极掩模结构，源极掩模结构和沟道区外围半曝光掩模结构。其中，沟道区外围半曝光掩模结构为栅状、网状或孔状结构或沟道区外围半曝光掩模结构整体为叶状的结构，局部为栅状、网状或孔状。本发明同时公开了采用该像素沟道区掩模版形成的薄膜晶体管，其中形成的薄膜晶体管的沟道区域有一向外扩展区域。本发明通过沟道半曝光区的掩模设计结构，从而有效的避免沟道源漏极连同性和沟道有缘层断开性等不良问题。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 沟道 模版 形成 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种像素沟道区掩模版，包括：沟道区半曝光掩模结构，漏极掩模结构，和源极掩模结构，其特征在于：所述沟道区半曝光掩模结构还包括沟道区外围半曝光掩模结构。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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