[发明专利]模式相干的双模半导体激光器结构无效
| 申请号： | 200710099862.4 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101316024A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王列松;赵玲娟;王圩;朱洪亮;潘教青;梁松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种模式相干的双模半导体激光器结构，其中包括：一基底；一缓冲层，该缓冲层制作在基底上；一下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下限制层上，该多量子阱有源层为五段结构，两端为锯齿状，中间为平面结构，在中间与锯齿状结构之间的两段结构内注入磷；一上限制层，该上限制层制作在多量子阱有源层上的锯齿状的上面及中间部分；一盖层，该盖层制作在多量子阱有源层及上限制层的上面；一刻蚀阻止层，该刻蚀阻止层制作在盖层上；一欧姆接触层，该欧姆接触层分为五段制作在刻蚀阻止层上；一金属电极层，该金属电极层制作在分为五段的欧姆接触层上。 | ||
| 搜索关键词： | 模式 相干 双模 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】：
1、一种模式相干的双模半导体激光器结构，其特征在于，其中包括：一基底；一缓冲层，该缓冲层制作在基底上；一下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下限制层上，该多量子阱有源层为五段结构，两端为锯齿状，中间为平面结构，在中间与锯齿状结构之间的两段结构内注入磷；一上限制层，该上限制层制作在多量子阱有源层上的锯齿状的上面及中间部分；一盖层，该盖层制作在多量子阱有源层及上限制层的上面；一刻蚀阻止层，该刻蚀阻止层制作在盖层上；一欧姆接触层，该欧姆接触层分为五段制作在刻蚀阻止层上；一金属电极层，该金属电极层制作在分为五段的欧姆接触层上；其中该五段的欧姆接触层的上下部分分别为：第一强增益耦合DFB区，与第一强增益耦合DFB区相邻的第一相区，与第一相区相邻的可饱和吸收区，与可饱和吸收区相邻的第二相区，与第二相区相邻的第二强增益耦合DFB区。
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