[发明专利]红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法无效
| 申请号： | 200710099864.3 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101316025A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 徐云;陈良惠;张玉芳;宋国峰;李玉璋;种明;郑婉华;曹青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;G02B6/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法，包括：在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；在外延片上光刻腐蚀出光台面；在出光台面上淀积电绝缘膜；在电绝缘膜上制备P面电极；对N型衬底减薄抛光后制备N面电极；将具有P、N电极的片子解理成条作为激光器的谐振腔面，并在激光器前后腔面蒸镀增透膜和高反膜；将单管芯激光器烧结到铜热沉上；采用柱透镜压缩半导体激光器的垂直发散角；采用自聚焦透镜将半导体激光器的光束压缩聚焦并耦合到多模光纤中。本发明利于制备大功率的半导体激光器。 | ||
| 搜索关键词： | 红光 铝镓铟磷 半导体激光器 光纤 耦合 模块 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种红光铝镓铟磷半导体激光器光纤耦合模块的制备方法，其特征在于，该方法包括：A、在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B、在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；C、在外延片上光刻腐蚀出光台面；D、在出光台面上淀积电绝缘膜；E、在电绝缘膜上制备P面电极；F、对N型衬底减薄抛光后制备N面电极；G、将具有P、N电极的片子解理成条作为激光器的谐振腔面，并在激光器前后腔面蒸镀增透膜和高反膜；H、将单管芯激光器烧结到铜热沉上；I、采用柱透镜压缩半导体激光器的垂直发散角；J、采用自聚焦透镜将半导体激光器的光束进一步压缩聚焦并耦合到多模光纤中。
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