[发明专利]一种量子阱边发射半导体激光器的制作方法无效
| 申请号： | 200710099865.8 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101316027A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 徐云;陈良惠;李玉璋;曹青;宋国峰;郭良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/20;H01S5/22;H01S5/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，包括：A.在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B.在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；C.在外延片上通过两次光刻出双沟脊波导，制备脊形台面作为出光面；D.在脊形台面上淀积电绝缘膜；E.在电绝缘膜上制备P面电极；F.对N型衬底减薄抛光后制备N面电极。利用本发明，在保证脊形光波导激光器原有输出功率、电光转换效率基本不受影响的同时，增大了平行发散角，改善了激光器的输出光斑。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 发射 半导体激光器 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于改善输出光斑的量子阱边发射半导体激光器的制作方法，其特征在于，该方法包括：A、在N型镓砷衬底上依次制备镓砷缓冲层和镓铟磷缓冲层；B、在镓铟磷缓冲层上依次制备铝镓铟磷限制层、光波导层和有源层，并形成分别限制异质结构；C、在外延片上通过两次光刻出双沟脊波导，制备脊形台面作为出光面；D、在脊形台面上淀积电绝缘膜；E、在电绝缘膜上制备P面电极；F、对N型衬底减薄抛光后制备N面电极。
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