[发明专利]一种斜面光接收的光电探测器有效
| 申请号： | 200710099874.7 | 申请日： | 2007-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101315955A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 申华军;李志华;杨成樾;万里兮;李宝霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及光互联通信的光电探测器件技术领域，公开了一种斜面光接收的光电探测器，该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上，有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层，有源区的上表面为单电极或双电极。本发明提供的斜面光接收的光电探测器，有源区位于器件的斜面上，能够与各种类型的电路板上的光波导实现直接光路耦合，不需要光路传输方向的转变，形成简便高效的光探测接收端，简化了光路的耦合对准。由于不需要光路传输方向的转变，因而也就不需要精密的光路对准装置，使得工艺和对准的难度大大降低，成本下降，并减少了光损耗，提高了耦合效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 斜面 接收 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1、一种斜面光接收的光电探测器，其特征在于，该光电探测器光接收的有源区位于半导体衬底被腐蚀后形成的V型槽的一个斜面上，有源区从斜面表面向外依次包括缓冲层、n型欧姆接触层、本征层和p型欧姆接触层，有源区的p型欧姆接触层的上表面为单电极或双电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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