[发明专利]一种半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710100298.3 | 申请日： | 2007-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN101079423A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 朱一明 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/822;H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 100084北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体存储器件，包括衬底、形成在所述衬底中的第一阱、以及位于所述第一阱上的有源器件，还包括深度大于所述第一阱的深度的一个或多个沟槽。本发明还公开了一种半导体存储器件制造方法，包括：提供衬底，在所述衬底中形成第一阱，在所述第一阱上形成有源器件，还包括形成深度大于所述第一阱的一个或多个隔离沟槽。通过本发明为用户提供了一种能够使用逻辑制造工艺制造、作为存储器保存信息、并大大降低制造成本和功率消耗以及大大缩小存储器单元面积的半导体存储器件及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：衬底；形成在所述衬底中的第一阱；以及位于所述第一阱上的有源器件；其特征在于，还包括：深度大于所述第一阱的深度的一个或多个沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京芯技佳易微电子科技有限公司，未经北京芯技佳易微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710100298.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路和制作存储单元的方法
- 下一篇：一种新型全置换式顶压气压罐
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
