[发明专利]光学元件用HfON保护膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710100392.9 | 申请日： | 2007-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101058871A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 苏小平;张树玉;黎建明;杨海;王宏斌;郝鹏;余怀之;刘伟 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱印康 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种光学元件用HfON保护膜的制备方法，即采用金属Hf靶在Ar气、N2气和O2气混合气氛中的反应磁控溅射方法制备HfON薄膜。采用本发明方法制备的HfON薄膜，机械强度高，硬度高、耐磨性能好，在可见、红外波段吸收小、透过率高。适于做军用光学窗口的硬质保护膜，也适于做一般光学元件如棱镜、透镜等的防潮保护膜及抗磨损膜。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 元件 hfon 保护膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光学元件用HfON保护膜的制备方法，以高纯金属Hf为靶，Ar气为工作气体，N2气和O2气为反应气体，采用反应磁控溅射工艺制备HfON膜，其特征是制备过程包括以下步骤：(1)将光学元件基体放置到基片台上，首先将真空室真空抽至高于3×10-3Pa，然后将基体加热到室温～700℃；(2)向真空室充入Ar气，保持真空在0.1～0.5Pa，溅射功率100～1000W，对靶表面轰击清洗8-12分钟；(3)按N2/(N2+O2)＝0.05～0.95、(N2+O2)/Ar＝0.1～0.5的比例范围通入Ar、N2气和O2气的混合气体，保持溅射功率50～300W，工作真空0.1～0.3Pa，沉积HfON膜直至达到所需的厚度；(4)沉积结束后在上述混合气体中将工件温度缓慢降至室温，降温速率30～100℃/小时。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司，未经北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710100392.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种利用微通道反应器制备纳米沸石的方法
- 下一篇：由含碳物质碱促制备氢
- 同类专利
- 专利分类
