[发明专利]半导体装置及制造该半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200710100621.7 | 申请日： | 2007-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101034722A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 堀内悟志 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L27/00;H01L21/02;H01L21/316;H01G4/33;H01G4/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 韦欣华;段晓玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置，其具有在电极之间具有钙钛矿结构的结晶介电膜。该半导体装置至少包括在结晶介电膜的柱形晶体部分中的不连续界面，通过该界面结晶性变为不连续的。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有在第一电极和第二电极之间具有钙钛矿结构的结晶介电膜，该半导体装置包括在结晶介电膜的柱形晶体部分中的不连续界面，通过该界面结晶性变为不连续的。
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