[发明专利]电介质陶瓷组合物、电子部件及其制造方法无效
申请号: | 200710100649.0 | 申请日: | 2007-02-28 |
公开(公告)号: | CN101054293A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 小岛畅;M·柳田;原治也;渡边康夫;佐藤阳 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468;H01B3/12;H01G4/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 孙秀武;李平英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电介质陶瓷组合物的制造方法,其中,该电介质陶瓷组合物包括含钛酸钡的主成分和含R氧化物的第四副成分,所述钛酸钡由组成式BamTiO2+m表示,所述组成式中的m满足以下关系:0.990<m<1.010,所述R是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu之中的至少一种,其中包括所述主成分的原料与所述第四副成分的原料的至少一部分预先反应,获得已反应原料的工序。根据本发明,可以提供一种电介质陶瓷组合物及其制造方法,其能够提高相对介电常数,而其它电气特性(例如静电容量的温度特性、绝缘电阻、绝缘电阻的加速寿命、介电损耗)不发生恶化。 | ||
搜索关键词: | 电介质 陶瓷 组合 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电介质陶瓷组合物的制造方法,其中所述电介质陶瓷组合物包括含钛酸钡的主成分和含R氧化物的第四副成分,所述钛酸钡由组成式BamTiO2+m 表示,所述组成式中的m满足以下关系:0.990<m<1.010,所述R是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu之中的至少一种,其中所述主成分的原料与所述第四副成分的原料的至少一部分预先反应,使用已反应原料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710100649.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:五行蔬菜制剂
- 下一篇:交错排列且非连续的接缝磨损的保护