[发明专利]等离子体处理装置和等离子体处理方法

摘要

本发明提供一种能够提高用于在腐蚀性气体气氛中进行等离子体蚀刻加工的腔室内的暴露于等离子体气氛的部位、构件和部件的耐久性，能够提高在腐蚀性气体气氛中、在部件等的表面上形成的膜的耐等离子体腐蚀性，而且，即使在高的等离子体输出下也能够防止产生腐蚀生成物的颗粒的等离子体处理装置和使用该等离子体处理装置的等离子体处理方法，作为解决手段，在利用蚀刻处理气体等离子体对收容在腔室内的被处理体表面进行加工的等离子体处理装置中，至少利用由金属氧化物构成的多孔质层和在该多孔质层上形成的该金属氧化物的二次再结晶层，覆盖该腔室的暴露于等离子体生成气氛的部位、设置在该腔室内的构件或部件的表面。

主权项

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：收容利用蚀刻处理气体等离子体进行加工的被处理体的腔室；和该腔室本身的暴露于等离子体生成气氛的部位、设置在该腔室内的构件或部件，在所述部位、所述构件或所述部件中的任一个以上的表面上，设置有复合层，该复合层包括由金属氧化物构成的多孔质层和在该多孔质层上形成的该金属氧化物的二次再结晶层。