[发明专利]处理Ⅲ族氮化物晶体表面的方法和Ⅲ族氮化物晶体衬底无效
| 申请号： | 200710100996.3 | 申请日： | 2007-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101066583A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 西浦隆幸;石桥惠二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;H01L21/304;C09G1/02;C09G1/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;陆锦华 |
| 地址： | 日本大阪府大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种处理Ⅲ族氮化物晶体表面的方法，该方法包括步骤：用包含磨粒的抛光浆料抛光Ⅲ族氮化物晶体(1)的表面；其后用抛光液(27)抛光Ⅲ族氮化物晶体(1)的表面至少一次，并且用抛光液(27)抛光的每个步骤都使用碱性抛光液或者酸性抛光液作为抛光液(27)。用碱性或者酸性抛光液抛光的步聚允许去除杂质，所述杂质诸如是在用包含磨粒的浆抛光之后残留在Ⅲ族氮化物晶体表面上的磨粒。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 氮化物 晶体 表面 方法 衬底 | ||
【主权项】：
1.一种处理III族氮化物晶体表面的方法，包括如下步骤：用包含磨粒(16)的抛光浆料(17)抛光III族氮化物晶体(1)的表面；以及其后，用抛光液(27)抛光所述III族氮化物晶体(1)的所述表面至少一次，其中：用所述抛光液(27)抛光的每个步骤都使用碱性抛光液和酸性抛光液中的一种作为所述抛光液(27)；以及所述碱性抛光液包含从由具有C、O、H和N中至少任一种作为组成元素的碱、该碱的盐和具有C、O、H和N中至少任一种作为组成元素的氧化剂构成的组中选择的至少一种类型，并且具有至少为8.5且至多为14的pH，如果用值x来表示所述pH，以及所述碱性抛光液具有用值y表示的氧化还原电势，该电势用mV表示，那么，所述值x和y满足下面的表达式：y＞-50x+800 …(i)；所述酸性抛光液包含从由具有C、O、H和N中至少任一种作为组成元素的酸、该酸的盐和具有C、O、H和N中至少任一种作为组成元素的氧化剂构成的组中选择的至少一种类型，并且具有至少为1.5且至多为6的pH，如果用值x来表示所述pH，以及所述酸性抛光液具有用值y表示的氧化还原电势，该电势用mV表示，那么，所述值x和y满足下面的表达式：y＞-50x+800 …(i)。
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