[发明专利]用于检查制造集成电路器件中使用的掩模的设备和方法无效
申请号: | 200710100999.7 | 申请日: | 2007-05-08 |
公开(公告)号: | CN101071262A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 金度映;郑东训 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;H01L21/66 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 林宇清;谢丽娜 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在实施例中,一种用于探测掩模上的半导体图形中的缺陷的掩模检查设备,包括用于将穿过掩模或从掩模反射的光与基准光束结合的光学器件。两个光束被穿过第二级非线性光学系统。掩模缺陷影响传输光/反射光,以及可以通过分析透射光强度来探测。第二级非线性光学系统放大该结合光束的所选成分,因此提高探测。 | ||
搜索关键词: | 用于 检查 制造 集成电路 器件 使用 设备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于探测在制造IC(集成电路)器件中使用的掩模上的半导体图形中的缺陷的掩模检查设备,该设备包括:图像合成仪,该图像合成仪用于接收在该掩模上入射的光束所产生的掩模图像和用于接收基准光束、将该掩模图像与该基准光束结合以形成合成图像、以及沿相同的路径引导该合成图像,其中该掩模图像包括对掩模上的半导体图形敏感的波形;用于接收来自该图像合成仪的合成图像以及用于增加掩模图像和基准光束之一的强度的第二级非线性光学系统,该合成图像包括掩模图像和基准光束;以及检查单元,用于通过检查对合成图像敏感、退出第二级非线性光学系统的图像,确定在半导体图形中是否存在缺陷。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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