[发明专利]用于低功率应用的电可编程集成熔丝装置和构造方法有效
| 申请号： | 200710101067.4 | 申请日： | 2007-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN101068015A | 公开（公告）日： | 2007-11-07 |
| 发明（设计）人： | 高荣健;具滋钦;宣敏喆;罗伯特·韦泽 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;因菲尼奥恩技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供用于小功率应用的电可编程集成熔丝。集成熔丝器件具有堆叠结构，该结构具有多晶硅层和形成于多晶硅层上的导电层。集成熔丝具有的结构特征使得能够用低编程电流/电压对熔丝进行可靠且高效的编程，同时实现熔断位置的一致性。例如，形成具有变化厚度的导电层并形成具有变化掺杂分布的多晶硅层来实现编程的可靠性和一致性，以提供容易发生熔断事件的更为精确的局部化区域。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 功率 应用 可编程 集成 装置 构造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成熔丝器件，包括：多晶硅层，包括正极和负极以及形成于所述正极和负极之间的熔丝链，其中所述熔丝链包括具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂多晶硅区和具有大于所述第一掺杂剂浓度的第二掺杂剂浓度的第二掺杂多晶硅区；形成于所述多晶硅层上的导电层，其中在所述熔丝链上方的所述导电层的厚度有所变化，其中所述导电层在所述第一掺杂多晶硅区上方的部分具有第一厚度，其中所述导电层在所述第二掺杂多晶硅区上方的部分具有小于所述第一厚度的第二厚度。
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